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| 片状磷源的扩散 | |
| 作者姓名： | 梁增寿 陈淑珍 代琦 |
| 作者单位： | 邮电五○八厂(梁增寿，陈淑珍)，邮电五○八厂(代琦) |
| 摘 要： | 一、前言 磷扩散是半导体器件和集成电路的基本工艺之一,磷扩散的分布状况对半导体器件和集成电路的性能、成品率有很大影响。半导体集成电路的集成度已发展到扩散条宽为2～3微米的大规模、超大规模集成电路,对磷扩散掺杂的精确控制,均匀性和重复性,提出了更高的要求,常用的液态三氯氧磷源不能完全满足这些需要。研究和发展新的磷扩散源,是国内外半导体工业普遍重视的问题。 一九六七年RCA公司发明用片状氮化硼作扩散源有许多优越性以来,人们就开始研究和发展片状磷源,到一九七六年美国Owens-Illinois公司发表了片状磷源的专 |
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