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| P型半导体金刚石膜的磁阻 | |
| 引用本文： | 孔春阳,王万录,廖克俊,王蜀霞,方亮,马勇.P型半导体金刚石膜的磁阻[J].功能材料与器件学报,2001,7(3):248-252. |
| 作者姓名： | 孔春阳 王万录 廖克俊 王蜀霞 方亮 马勇 |
| 作者单位： | 1. 重庆大学理学院应用物理系, 2. 重庆师范学院物理系, |
| 基金项目： | National Natural Science Foundation of China(No.19904016). |
| 摘 要： | 研究了p-型异质外延和同质金刚石膜的在不同温度和磁场下的磁阻，磁阻器件的结构为条形和圆盘形，实验结果表明磁阻强烈依赖于磁场、温度和样品的几何形状，圆盘结构的磁阻大于条形结构，条形结构的磁阻还取决于不同的长-宽比。利用F-S薄膜理论，计算磁场为5T时条形和圆盘结构的磁阻分别为0.38和0.74，讨论了霍耳效应对磁阻的影响。给出了形状效应的可能机制。 |
| 关 键 词： | 磁阻 金刚石膜 形状效应 电导率 |
| 文章编号： | 1007－4252(2001)03－0248－05 |
| 修稿时间： | 2000年10月18 |
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