P型半导体金刚石膜的磁阻 |
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作者姓名: | 孔春阳 王万录 廖克俊 王蜀霞 方亮 马勇 |
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作者单位: | 1. 重庆大学理学院应用物理系, 2. 重庆师范学院物理系, |
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基金项目: | National Natural ScienceFoundation of China(No.19904016). |
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摘 要: | 研究了p-型异质外延和同质金刚石膜的在不同温度和磁场下的磁阻,磁阻器件的结构为条形和圆盘形,实验结果表明磁阻强烈依赖于磁场、温度和样品的几何形状,圆盘结构的磁阻大于条形结构,条形结构的磁阻还取决于不同的长-宽比。利用F-S薄膜理论,计算磁场为5T时条形和圆盘结构的磁阻分别为0.38和0.74,讨论了霍耳效应对磁阻的影响。给出了形状效应的可能机制。
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关 键 词: | 磁阻 金刚石膜 形状效应 电导率 |
文章编号: | 1007-4252(2001)03-0248-05 |
修稿时间: | 2000-10-18 |
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