| 128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器 |
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| 引用本文： | 许佳佳,金巨鹏,徐庆庆,徐志成,靳川,周易,陈洪雷,林春,陈建新,何力.128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器[J].红外与毫米波学报,2012,31(6). |
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| 作者姓名： | 许佳佳 金巨鹏 徐庆庆 徐志成 靳川 周易 陈洪雷 林春 陈建新 何力 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083
2. 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083;中国科学院研究生院,北京 100049 |
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| 摘 要： | 报道了128×128元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列探测器的研究成果.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.红外吸收区结构为13 ML(InAs)/9 ML(GaSb),器件采用PIN结构,焦平面阵列光敏元大小为40 μm×40μm.通过台面形成、侧边钝化和金属电极生长,以及与读出电路互连等工艺,得到了128×128面阵长波焦平面探测器.在77 K时测试,器件的100％截止波长为8μm,峰值探测率6.0×109 cmHz1/2 W-1.经红外焦平面成像测试,探测器可得到较为清晰的成像.
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| 关 键 词： | 长波红外探测器 InAs/GaSb Ⅱ类超晶格 焦平面阵列 |
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