| 表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响 |
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| 引用本文： | 李卫青,顾广瑞,李英爱,何志,冯伟,刘丽华,赵春红,赵永年.表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响[J].功能材料,2004,35(Z1):2183-2185. |
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| 作者姓名： | 李卫青 顾广瑞 李英爱 何志 冯伟 刘丽华 赵春红 赵永年 |
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| 作者单位： | 吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023 |
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| 摘 要： | 用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明表面热处理对BN薄膜的表面形貌没有明显影响,样品场发射特性的变化可能与表面负电子亲和势有关,未进行热处理的样品阈值电场较低,可能归因于表面负电子亲和势效应,阈值电场为8V/μm,发射电流为80μA,热处理温度为800℃时,负电子亲和势仍然存在,直到热处理温度达到1000℃时,表面负电子亲和势才消失.
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| 关 键 词： | 氮化硼薄膜 表面热处理 场发射 发射电流 阈值电场 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-2183-03 |
| 修稿时间： | 2004年2月1日 |
Influence of heat treatment on field emission characteristics of boron nitride thin films |
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| LI Wei-qing,GU Guang-rui,LI Yin-gai,HE Zhi,FENG Wei,LIU Li-hua,ZHAO Chun-hong,ZHAO Yong-nian.Influence of heat treatment on field emission characteristics of boron nitride thin films[J].Journal of Functional Materials,2004,35(Z1):2183-2185. |
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| Authors: | LI Wei-qing GU Guang-rui LI Yin-gai HE Zhi FENG Wei LIU Li-hua ZHAO Chun-hong ZHAO Yong-nian |
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