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| 8.5GHz～10GHz GaAs准单片功率放大器 | |
| 作者姓名： | 王义 李拂晓 唐世军 郑维彬 |
| 作者单位： | 单片集成电路及模块电路国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016;单片集成电路及模块电路国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016;单片集成电路及模块电路国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016;单片集成电路及模块电路国家级重点实验室,南京电子器件研究所,南京,210016 |
| 摘 要： | 文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz~10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于16%,典型功率附加效率为25%,输入电压驻波比小于2.5。 |
| 关 键 词： | GaAs pHEMT 宽带 准单片 功率放大器 |
| 文章编号： | 1681-1070（2007）10-0029-04 |
| 修稿时间： | 2007-05-16 |
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