衬底型离子敏感场效应晶体管(ISFET)

衬底型ISFET是一种化学敏感器件。沉积在衬底背面上的化学敏感膜(Si_3N_4、AgCl等)的活性区与测试溶液相接触。当溶液离子浓度发生变化时,器件的漏源电流会发生相应变化,本文推导出了这两者变化的关系式,并研制出了密封性较好、性能稳定的衬底型ISFET。