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| 应用K-K关系测量高掺杂Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的电学参数 | |
| 引用本文： | 徐谨民,邵丽影,王永泰,林.应用K-K关系测量高掺杂Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的电学参数[J].红外与毫米波学报,1987,6(4). |
| 作者姓名： | 徐谨民 邵丽影 王永泰 林 |
| 作者单位： | 南开大学测试中心 (徐谨民，王永泰)，南开大学物理系 (邵丽影)，南开大学测试中心(林■) |
| 摘 要： | 基于K-K关系对高掺杂Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体N-GaAs和N-InP的反射谱用170SX型FT-IR仪器在50～27500cm~(-1)范围进行了数据处理,求出等离子体频率ω_p、阻尼系数γ、载流子浓度n、迁移率μ、电阻率ρ等重要的电学参数。 |
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