| 硅压阻式传感器的温度特性及其补偿 |
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| 引用本文： | 樊尚春,彭春荣.硅压阻式传感器的温度特性及其补偿[J].微纳电子技术,2003,40(7):484-488. |
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| 作者姓名： | 樊尚春 彭春荣 |
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| 作者单位： | 北京航空航天大学自动化学院,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50275009);航空科学基金资助项目(02151018) |
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| 摘 要： | 基于硅压阻式传感器的工艺过程与后续电路设计，讨论了减小其温度影响的措施。文中对在相同的硅基底上，采用诸如扩散、离子注入、薄膜淀积以及溅射等不同加工工艺制作实现的不同的压敏电阻特性，特别是温度特性进行了探讨和比较。针对一种具体的硅杯结构的压阻式传感器，设计、选择了加工工艺，给出了压敏电阻的近似温度补偿公式，讨论了传感器补偿电路的实现方案。
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| 关 键 词： | 阻式传感器 温度特性 温度补偿 硅传感器 扩散掺杂工艺 压阻特性 |
| 文章编号： | 1671-4776(2003)07/08-0484-05 |
| 修稿时间： | 2003年5月15日 |
Temperature properties and compensation for silicon piezoresistive sensors |
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