硅压阻式传感器的温度特性及其补偿 |
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引用本文: | 樊尚春,彭春荣. 硅压阻式传感器的温度特性及其补偿[J]. 微纳电子技术, 2003, 40(7): 484-488 |
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作者姓名: | 樊尚春 彭春荣 |
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作者单位: | 北京航空航天大学自动化学院,北京,100083 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(50275009);航空科学基金资助项目(02151018) |
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摘 要: | 基于硅压阻式传感器的工艺过程与后续电路设计,讨论了减小其温度影响的措施。文中对在相同的硅基底上,采用诸如扩散、离子注入、薄膜淀积以及溅射等不同加工工艺制作实现的不同的压敏电阻特性,特别是温度特性进行了探讨和比较。针对一种具体的硅杯结构的压阻式传感器,设计、选择了加工工艺,给出了压敏电阻的近似温度补偿公式,讨论了传感器补偿电路的实现方案。
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关 键 词: | 阻式传感器 温度特性 温度补偿 硅传感器 扩散掺杂工艺 压阻特性 |
文章编号: | 1671-4776(2003)07/08-0484-05 |
修稿时间: | 2003-05-15 |
Temperature properties and compensation for silicon piezoresistive sensors |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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