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| 原子层沉积技术研究及其应用进展 | |
| 作者姓名： | 仇洪波 刘邦武 夏洋 李惠琪 陈波 李超波 万军 李勇 |
| 作者单位： | 山东科技大学材料科学与工程学院;中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61106060);中国科学院知识创新工程重大项目(Y2YF028001);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2012AA052401) |
| 摘 要： | 原子层沉积(ALD)技术是制备复杂纳米结构材料以及材料表面改性的关键技术,该技术已得到了国内外学术界的大量研究。简单介绍了ALD技术、沉积过程、该技术的优点以及该技术可以沉积的薄膜材料,重点论述了ALD技术的应用进展,主要包括半导体方面(如IC互连技术、电容器、太阳电池晶体硅表面钝化)以及纳米结构材料方面(如催化剂与燃料电池、光催化、太阳电池、分离膜)。最后,指出了目前ALD在材料制备和生产工艺方面所面临的挑战,并对其未来发展进行了展望。 |
| 关 键 词： | 原子层沉积(ALD) 薄膜沉积 太阳电池 互连技术 催化剂 分离膜 |
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