水浴温度对化学水浴法制备的CdS薄膜结构及性能的影响 |
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引用本文: | 张正杰,刘贵山,马铁成,薛成,胡志强.水浴温度对化学水浴法制备的CdS薄膜结构及性能的影响[J].大连工业大学学报,2013(4):283-285. |
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作者姓名: | 张正杰 刘贵山 马铁成 薛成 胡志强 |
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作者单位: | 大连工业大学纺织与材料工程学院 |
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摘 要: | 采用化学水浴法以醋酸铵和醋酸镉为原料在玻璃基底上制备CdS薄膜。研究了溶液温度对CdS薄膜的结构及光电性能的影响,利用X射线衍射仪表征了CdS薄膜的物相结构,扫描电子显微镜观察了CdS薄膜的表面形貌,紫外-可见分光光度计分析了CdS薄膜的透光率及禁带宽度,绝缘电阻测试仪测试了CdS薄膜的表面电阻。实验结果表明,随着水浴温度的提高,CdS薄膜C(111)/H(002)衍射峰强度增加,择优取向生长显著且结晶度提高,晶体颗粒长大且薄膜更加致密。透光率平均达到了78%以上,表面电阻达到108Ω,符合CIGS薄膜太阳电池缓冲层基本要求。
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关 键 词: | CdS薄膜 化学水浴法(CBD) 沉积温度 铜铟稼硒(CIGS) |
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