| 粗糙度对极紫外投影光刻掩模的影响 |
| |
| 引用本文： | 杨雄,金春水,姚志华,曹健林. 粗糙度对极紫外投影光刻掩模的影响[J]. 光电工程, 2005, 32(10): 80-83 |
| |
| 作者姓名： | 杨雄 金春水 姚志华 曹健林 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033 |
| |
| 摘 要： | 基于Nevot-Croce模型,计算了一系列具有粗糙界面的极紫外投影光刻掩模的反射光谱。通过拟合计算结果,得到了峰值反射率、带宽和中心波长与粗糙度的函数关系。根据光刻系统对照明均匀性的要求,讨论了在相同粗糙度变化范围内,分别由峰值反射率、带宽和中心波长引起的照明误差。结果表明,粗糙度对极紫外投影光刻掩模的峰值反射率影响最大。当掩模粗糙度为0.85±0.04nm时,峰值反射率将产生±0.9%的波动,并由此产生±1.5%的照明误差。为保证由峰值反射率导致的照明误差小于±1%,极紫外投影光刻掩模的粗糙度必须控制在±0.025nm以内。
|
| 关 键 词： | 极紫外投影光刻 掩模 粗糙度 反射光谱 多层膜 |
| 文章编号： | 1003-501X(2005)10-0080-04 |
| 收稿时间： | 2004-12-31 |
| 修稿时间： | 2005-04-08 |
Influence of roughness on extreme ultra-violet lithography mask |
| |
| YANG Xiong,JIN Chun-shui,YAO Zhi-hua,CAO Jian-lin. Influence of roughness on extreme ultra-violet lithography mask[J]. Opto-Electronic Engineering, 2005, 32(10): 80-83 |
| |
| Authors: | YANG Xiong JIN Chun-shui YAO Zhi-hua CAO Jian-lin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Extreme ultra-violet lithography Masks Roughness Reflection spectra Multi-layer films |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
