| 聚3-己基噻吩的光电性能研究 |
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| 引用本文： | 郝彦忠,蔡春立.聚3-己基噻吩的光电性能研究[J].功能材料,2006,37(1):22-24. |
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| 作者姓名： | 郝彦忠 蔡春立 |
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| 作者单位： | 河北科技大学,理学院,河北,石家庄,050018;河北科技大学,化学与制药工程学院,河北,石家庄,050018;河北科技大学,化学与制药工程学院,河北,石家庄,050018 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目
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河北省自然科学基金
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河北省教育厅博士科研项目 |
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| 摘 要： | 利用光电化学方法研究了聚3-己基噻吩的光电化学性质,其禁带宽度为1.89eV,同时确定了它的价带位置(-3.6eV)、导带位置(-5.4eV).研究发现聚3-己基噻吩属于直接跃迁型半导体,在本文条件下得到的最高IPCE值达5.2%
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| 关 键 词： | 聚3-己基噻吩 光电化学 导电聚合物 |
| 文章编号： | 1001-9731(2005)12-0022-03 |
| 收稿时间： | 2005-04-28 |
| 修稿时间： | 2005-08-31 |
A photoelectrochemical study of the poly(3-hexylthiophene) |
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| HAO Yan-zhong,CAI Chun-li.A photoelectrochemical study of the poly(3-hexylthiophene)[J].Journal of Functional Materials,2006,37(1):22-24. |
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| Authors: | HAO Yan-zhong CAI Chun-li |
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| Abstract: | The photonelectrochemical properties of the poly(3-hexylthiophene) film on the conducting glass were investigated with photonelectrochemical methods.The bandgap of P3HT film was 1.89eV.The conduction band and valence band were determined to be-3.6 and-5.4eV respectively.The maximal IPCE measured in this paper was 5.2%. |
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| Keywords: | poly(3-hexylthiophene) photoelectrochemistry conducting polymer |
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