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| 用电子束蒸发和射频磁溅射制备ZnS:Tb,F电致发光薄膜的差别 | |
| 引用本文： | 梁力恒.用电子束蒸发和射频磁溅射制备ZnS:Tb,F电致发光薄膜的差别[J].液晶与显示,1988(4). |
| 作者姓名： | 梁力恒 |
| 摘 要： | 一引言近十年来,经细致的研究后,ZnS:Mn电致发光(EL)薄膜器件已经达到实用阶段。但ZnS:Mn荧光体只能给出橙黄色辐射光。最近,人们集中于彩色EL器件的研究,如绿色 ZnS:Tb,F_(?)蓝色SrS:Ce和红色CaS:Eu。它们当中,绿色ZnS:Tb,F薄膜是最突出的,并达到实用水平。ZnS:Tb,F荧光膜最初在1968年由Kahng提出,因这种发光中心是以Tb F_3分子形式掺入,所以称之为分子中心。制备方法是用两个蒸发源,一 |
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