| 基于硅基WLP封装的深孔刻蚀工艺研究 |
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| 引用本文： | 倪烨,徐浩,孟腾飞,袁燕,王君,张玉涛.基于硅基WLP封装的深孔刻蚀工艺研究[J].材料导报,2021,35(z2):110-114. |
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| 作者姓名： | 倪烨 徐浩 孟腾飞 袁燕 王君 张玉涛 |
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| 作者单位： | 北京无线电测量研究所,北京100854 |
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| 摘 要： | 本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出工艺指标为:刻蚀深度185μm、深宽比9:1、陡直度90.08°、侧壁粗糙度小于64 nm、选择比46:1的硅深孔样品.该深孔刻蚀工艺可应用于薄膜体声波滤波器(FBAR,Film bulk acoustic resonator)晶圆级封装工艺的硅通孔互联(TSV,Through silicon via)技术中.
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| 关 键 词： | 晶圆级封装 深孔刻蚀 硅通孔互联 |
A Study on the Deep Etching Technology for WLP Package |
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| NI Ye,XU Hao,MENG Tengfei,YUAN Yan,WANG Jun,ZHANG Yutao.A Study on the Deep Etching Technology for WLP Package[J].Materials Review,2021,35(z2):110-114. |
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| Authors: | NI Ye XU Hao MENG Tengfei YUAN Yan WANG Jun ZHANG Yutao |
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