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工作气压对磁控溅射TaN薄膜微结构和性能的影响
引用本文:张玉宝,李志刚,王艺,蒋继成,姚钢,赵弘韬.工作气压对磁控溅射TaN薄膜微结构和性能的影响[J].材料导报,2021,35(z2):60-63.
作者姓名:张玉宝  李志刚  王艺  蒋继成  姚钢  赵弘韬
作者单位:黑龙江省原子能研究院,哈尔滨150086
摘    要:采用反应磁控溅射技术在Al2O3陶瓷基底上制备了一系列不同工作气压的TaN薄膜.分别利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、台阶仪、划痕仪和四探针电阻计研究不同工作气压对TaN薄膜的微观结构、粗糙度、沉积速率、膜?基结合力、电学性能的影响.结果表明,磁控溅射TaN薄膜主要为fccδ?TaN晶体结构;在工作气压为0.4 Pa时,TaN薄膜的膜?基结合力和沉积速率最高、导电性和致密度最好,其结合力、沉积速率、方阻值和粗糙度分别为53.2 N、4.28 nm/min、45.06Ω/□和1.09 nm.

关 键 词:TaN薄膜  氮气流量  微观结构  结合力  电性能

Effect of Work Pressure on Microstructure and Properties of Magnetron Sputtering TaN Coatings
ZHANG Yubao,LI Zhigang,WANG Yi,JIANG Jicheng,YAO Gang,ZHAO Hongtao.Effect of Work Pressure on Microstructure and Properties of Magnetron Sputtering TaN Coatings[J].Materials Review,2021,35(z2):60-63.
Authors:ZHANG Yubao  LI Zhigang  WANG Yi  JIANG Jicheng  YAO Gang  ZHAO Hongtao
Abstract:
Keywords:
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