Cinétique de croissance de Ge/Ge et Ge/GaAs dans le système Ge---H2---He---I2

Des couches monocristallines de germanium ont été obtenues sur des substrats de germanium et GaAs par transport chimique mettant en jeu une réaction de disproportionnation avec H₂, hélium et I₂. Les vitesses de croissance sont des fonctions de la température de substrat, de la pression initiale d'iode et de la fraction molaire F de H₂ dans le mélange H₂---He.

Afin de définir les conditions de transport par l'iode, les équilibres obtenus quand le germanium est mis en présence de I₂, H₂ et hélium sont étudiés. Deux régions peu sensibles à la température ont été mises en évidence: elles correspondent aux températures de source et de substrat. La concentration en porteurs et la mobilité de Hall de couches Ge/GaAs et Ge/Ge sont présentées.