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差分SPV法测量a—Si:H材料少子扩散长度的数学模型
引用本文:
张治国,宿昌厚.差分SPV法测量a—Si:H材料少子扩散长度的数学模型[J].电子科学学刊,1993,15(5):487-492.
作者姓名:
张治国
宿昌厚
摘 要:
用差分SPV法测量a-Si:H材料的少子扩散长度,可以消除被测样品背面结的影响。本文讨论了这种测量方法的数学模型,导出了测量公式,分析了影响测量结果的各种因素。
关 键 词:
SPV测量
扩散长度
非晶硅材料
模型
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