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Ⅰ线光刻的进展
引用本文:宋湘云.Ⅰ线光刻的进展[J].微电子学,1992(6).
作者姓名:宋湘云
摘    要:I线波长为365μm。I线光刻具有分辨率高、焦深比g线深、光刻简单和价廉物美等许多优点。0.45的数值孔径透镜和专门设计的光刻胶系统的应用,使I线光刻实现了0.5μm特征尺寸的亚微米光刻,而且曝光量比g线获得的曝光量高得多。

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