| 紫外光辐射在硅片表面活化键合中的应用 |
| |
| 引用本文： | 林晓辉,史铁林,廖广兰,汤自荣,彭平,王海珊. 紫外光辐射在硅片表面活化键合中的应用[J]. 功能材料与器件学报, 2008, 14(2): 353-357 |
| |
| 作者姓名： | 林晓辉 史铁林 廖广兰 汤自荣 彭平 王海珊 |
| |
| 作者单位： | 华中科技大学机械科学与工程学院,武汉,430074;华中科技大学机械科学与工程学院,武汉,430074;武汉光电国家实验室,武汉,430074;武汉光电国家实验室,武汉,430074 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 在硅圆片表面亲水活化键合工艺中引入了紫外光照射并对其工艺参数和效果进行了评估.基于基本键合流程,通过对比实验,研究紫外光照与否,以及照射时间长短对硅片键合质量的影响.同时利用红外检测仪,拉伸强度测试仪以及原子力显微镜分别对键合面积,键合强度和表面粗糙度等因素进行了测定.此外,利用了承载率这一指标,对比了达到相同承载率时所需要克服的形变,以此对硅片的键合能力进行了评估.各项结果表明,硅片经过C波段和V波段的混合紫外光照射5min,相比于不经过紫外辐射的硅片,表面粗糙度得到了明显的改善,并获得最高的键合能力和拉伸强度.长时间的紫外辐射会破坏表面,进而影响其键合能力,使得拉伸强度降低.
|
| 关 键 词： | 表面活化 紫外辐射 表面粗糙度 承载率 |
| 文章编号： | 1007-4252(2008)02-0353-05 |
| 修稿时间： | 2007-07-20 |
Application of UV radiation in silicon wafer surface activation bonding |
| |
| LIN Xiao-hui,SHI Tie-lin,LIAO Guang-lan,TANG Zi-rong,PENG Ping,WANG Hai-shan. Application of UV radiation in silicon wafer surface activation bonding[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2008, 14(2): 353-357 |
| |
| Authors: | LIN Xiao-hui SHI Tie-lin LIAO Guang-lan TANG Zi-rong PENG Ping WANG Hai-shan |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
