同质及异质外延生长InSb中可控的p型和n型掺杂 |
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引用本文: | 宋福英.同质及异质外延生长InSb中可控的p型和n型掺杂[J].红外与激光工程,1994(5). |
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作者姓名: | 宋福英 |
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摘 要: | 本文对在InSb及GaAs衬底上用分子束外延生长的InSb分别以Be和Si作p型和n型的掺杂作了研究。当衬底温度超过340℃时,利用二次离子质谱技术,在InSb衬底上生长时,发现Be向表面有反常迁移现象。而在GaAs衬底上生长的掺Be的InSb薄膜中未发现这种迁移。在掺Si的InSb膜中也未发现掺杂剂的再分布现象。InSb中Be的掺杂效率约是GaAs中的一半,若想使Si在InSb中的掺杂效率达到其在GaAs中的掺杂效率,在整个生长过程中,需将衬底温度维持在<340℃。利用低温生长技术,可生长出呈现二维电子气体特性的Si△-掺杂结构。
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关 键 词: | 掺杂效率,磁输运特性,迁移率,外延生长,半导体结 |
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