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电压控制微分负阻晶体管
引用本文:李中江,段力军,姚勤泽,郭印文,薛发尤.电压控制微分负阻晶体管[J].半导体技术,1985(3).
作者姓名:李中江  段力军  姚勤泽  郭印文  薛发尤
作者单位:卫光电工厂 (李中江,段力军,姚勤泽,郭印文),卫光电工厂(薛发尤)
摘    要:本文阐述了一种新型功率器件——电压控制微分负阻功率晶体管的工作原理、设计原则和工艺流程.这种器件在广泛的应用中显示出明显的优点.我们制造的此类器件被命名为LPT32,它的主要指标是:I_c≥2A,V_(ces)≤0.5V,负阻-R_N≤10Ω,P_c≥25W,V_(ce)≥30V

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