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微波等离子体化学气相沉积法制备C_3N_4薄膜的研究
引用本文:张永平,顾有松,常香荣,田中卓,时东霞,张秀芳,袁磊. 微波等离子体化学气相沉积法制备C_3N_4薄膜的研究[J]. 真空电子技术, 2000, 0(1)
作者姓名:张永平  顾有松  常香荣  田中卓  时东霞  张秀芳  袁磊
作者单位:北京科技大学材料物理系!北京100083(张永平,顾有松,常香荣,田中卓),中国科学院北京真空物理实验室!北京100080(时东霞,张秀芳,袁磊)
基金项目:国家自然科学基金资助课题! ( 19674 0 0 9)
摘    要:本文采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),高纯N2(99.999%)和CH4(99.9%)作反应气体,在多晶Pt(99.99%)基片上沉积C3N4薄膜。X-射线能谱(EDX)分析结果表明N/C原子比为1.0~1.4,接近C3N4的化学比;X射线衍射谱说明薄膜主要由β和α-C3N4组成;FT-IR谱和Raman谱支持C-N键的存在。

关 键 词:微波等离子体化学气相沉积  β-C_3N_4  薄膜  超硬材料

Studies of C_3N_4 Thin Films Prepared by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition
ZHANG Yong ping ,GU You song ,CHANG Xiang rong ,TIAN Zhong zhuo ,SHI Dong xia ,ZHANG Xiu fang ,YUAN Lei. Studies of C_3N_4 Thin Films Prepared by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition[J]. Vacuum Electronics, 2000, 0(1)
Authors:ZHANG Yong ping   GU You song   CHANG Xiang rong   TIAN Zhong zhuo   SHI Dong xia   ZHANG Xiu fang   YUAN Lei
Affiliation:ZHANG Yong ping 1,GU You song 1,CHANG Xiang rong 1,TIAN Zhong zhuo 1,SHI Dong xia 2,ZHANG Xiu fang 2,YUAN Lei 2
Abstract:
Keywords:
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