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| 非掺半绝缘GaAs晶体中位错作用的初步研究 | |
| 引用本文： | 莫培根,吴巨,李寿春,詹千宝,杨金华.非掺半绝缘GaAs晶体中位错作用的初步研究[J].半导体学报,1986,7(5):558-560. |
| 作者姓名： | 莫培根 吴巨 李寿春 詹千宝 杨金华 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 (莫培根，吴巨，李寿春，詹千宝)，中国科学院上海冶金研究所(杨金华) |
| 摘 要： | <正> 由于GaAs高速集成电路的发展,非掺半绝缘GaAs晶体受到很大的重视.高压LEC法生长的圆形大直径衬底,并与直接离子注入技术相结合,已普遍认为是制备IC的可行技术.目前,从富砷熔体的高压LEC/PBN法生长热稳定性良好的半绝缘晶体的工艺,已日趋成熟.晶体生长的研究重点已逐渐转移至完整性和均匀性方面. |
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