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| Zn掺杂β-Ga2O3薄膜的结构和光学性质 | |
| 作者姓名： | 岳伟 闫金良 吴江燕 张丽英 |
| 作者单位： | 山东烟台鲁东大学物理学院,山东烟台鲁东大学物理学院,山东烟台鲁东大学物理学院,山东烟台鲁东大学物理学院 |
| 摘 要： | 用射频磁控溅射制备了本征β-Ga2O3薄膜及Zn掺杂β-Ga2O3薄膜,研究了Zn掺杂和热退火对薄膜结构和光学性质的影响。与本征β-Ga2O3薄膜相比, Zn掺杂β-Ga2O3薄膜的微结构、光学透过、光学吸收、光学带隙以及光致发光等都发生了显著的变化。退火后的β-Ga2O3薄膜为多晶结构,Zn掺杂以后β-Ga2O3薄膜的光学带隙变窄,薄膜的结晶性变差,薄膜的光学透过降低,薄膜的紫外、蓝光及绿光发射加强。 |
| 关 键 词： | 透明导电氧化物 Zn掺杂β-Ga2O3 光学透过 光学带隙 光致发光 |
| 收稿时间： | 2012-01-01 |
| 修稿时间： | 2012-02-14 |
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