| MOCVD生长的InGaN薄膜的离子束背散射沟道及其光致发光 |
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| 引用本文： | 李述体,江风益,彭学新,王立,熊传兵,李鹏,莫春兰.MOCVD生长的InGaN薄膜的离子束背散射沟道及其光致发光[J].半导体学报,2001,22(5):604-608. |
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| 作者姓名： | 李述体 江风益 彭学新 王立 熊传兵 李鹏 莫春兰 |
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| 作者单位： | 南昌大学材料科学研究所，南昌330047 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);715-001-0012; |
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| 摘 要： | 采用 MOCVD技术以 Al2 O3为衬底在 Ga N膜上生长了 In Ga N薄膜 .以卢瑟福背散射 /沟道 (RBS/Channeling)技术和光致发光 (PL )技术对 Inx Ga1 - x N / Ga N / Al2 O3样品进行了测试 ,获得了合金层的组分、厚度、元素随深度分布、结晶品质及发光性能等信息 .研究表明生长温度和 TMIn/ TEGa比对 In Ga N薄膜的 In组分和生长速率影响很大 .在一定范围内 ,降低 TMIn/ TEGa比 ,In Ga N膜的生长速率增大 ,合金的 In组分反而提高 .降低生长温度 ,In Ga N膜的 In组分提高 ,但生长速率基本不变 . In Ga N薄膜的结晶品质随 In组分的增大而显著下降 ,In Ga N薄膜
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| 关 键 词： | MOCVD InGaN 卢瑟福背散射/沟道技术 光致发光 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)05-0604-05 |
| 修稿时间： | 2000年5月22日 |
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