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不同类型电源激励下HMDSO添加比例对Ar介质阻挡放电特性的影响
引用本文:张龙龙,崔行磊,刘峰,方志.不同类型电源激励下HMDSO添加比例对Ar介质阻挡放电特性的影响[J].电工技术学报,2021,36(15):3135-3146.
作者姓名:张龙龙  崔行磊  刘峰  方志
作者单位:南京工业大学电气工程与控制科学学院 南京 211816
基金项目:国家自然科学基金;国家自然科学基金;江苏省"六大人才高峰"高层次人才项目
摘    要:绝缘材料表面湿闪、污闪会对电力系统安全带来隐患.利用低温等离子进行疏水改性,可降低水滴在绝缘材料表面的浸润程度,抑制其吸附污渍、粉尘,进而提高耐湿闪、污闪等沿面耐压能力.为此,可在放电气体中添加疏水反应媒质,在材料表面引入相应疏水性基团,提高其疏水性.该文在Ar大气压介质阻挡放电(DBD)中添加六甲基二硅醚(Hexamethyldisiloxane,HMDSO)作为疏水反应媒质,研究高频、微秒脉冲和纳秒脉冲电源激励下HMDSO添加比例对DBD光学和电气特性影响规律.结果表明,不同电源激励下DBD均呈现丝状放电模式,尤其纳秒脉冲DBD放电区域中出现明亮的放电细丝,添加HMDSO后,DBD均匀性得到改善.高频和微秒脉冲激励下,HMDSO的添加会导致放电电流减小,发射光谱强度降低,放电减弱,而纳秒脉冲激励下放电电流和发射光谱强度先增加后减小,在添加比例为1.5%时,放电电流和发射光谱最大,放电最强.采用等效电路模型计算相应的能量效率,高频DBD能量效率最低,约为20%;纳秒脉冲DBD能量效率最高,约为70%,HMDSO添加对DBD能量效率影响不明显.三种类型电源相比,纳秒脉冲电源激励下放电强度和能量效率最大,在合适的HMDSO添加比例下产生活性粒子的能力更强,可为疏水改性提供更加有利的条件.

关 键 词:大气压介质阻挡放电  高频激励  脉冲激励  疏水改性  放电特性

Effect of HMDSO Addition Ratio on Ar DBD Characteristics Excited by Different Types of Power Sources
Zhang Longlong,Cui Xinglei,Liu Feng,Fang Zhi.Effect of HMDSO Addition Ratio on Ar DBD Characteristics Excited by Different Types of Power Sources[J].Transactions of China Electrotechnical Society,2021,36(15):3135-3146.
Authors:Zhang Longlong  Cui Xinglei  Liu Feng  Fang Zhi
Abstract:
Keywords:
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