0.18μm SOI工艺技术 |
| |
作者姓名: | 胜杰 |
| |
摘 要: | 最近 ,三菱电机公司开发出了一种具有高可靠性的 0 18μmSOI工艺技术。通过这种技术 ,由CMOS器件实现 2 5Gb/s的超高速通信用IC。而且 ,业已证实采用大容量SRAMTEG (TestElementGroup :特性评价器件 )有可能实现大规模高速LSI。1 局部沟槽隔离技术(a) 0 18μmSOI技术的开发情况所谓的SOI技术 ,就是在Si基板的绝缘膜 (埋入氧化膜 )上形成单晶硅层 (SOI层 )结构。与普通的Si基板器件在基板上直接形成晶体管的情况相反 ,SOI器件则是在薄的SOI层上形成晶体管 ,由于可以缩小源 …
|
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录! |
|