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| Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te电荷耦合器件移位寄存器 | |
| 引用本文： | 国义.Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te电荷耦合器件移位寄存器[J].激光与红外,1979(1). |
| 作者姓名： | 国义 |
| 摘 要： | 在n型Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te上已成功地制备了电极长10微米的8位CCD移位寄存器,这种器件在77至140K之间工作。在77K、1至100千赫时钟频率四相工作的条件下,得到了0.996电荷转移频率。在第一相位的势阱工作时,在隧道击穿限以外给输入栅加一个脉冲而产生输入信号,用浮置栅检测信号,然后进行相关双重取样,信号的大小符合推算值。 |
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