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| ZnSe:Al的霍尔迁移率 | |
| 作者姓名： | 王吉丰 黄锡珉 张志舜 |
| 作者单位： | 中科院长春物理所，中科院长春物理所，中科院长春物理所 |
| 摘 要： | 本实验所用的高纯 ZnSe 单晶是在控制Zn 分压的条件下,用升华法生长的,其中所用的 ZnSe 原料是用5N—Se 和7N—Zn 在高温下直接反应后、再经两次提纯得到的,把生长好的 ZnSe 单晶按(110)面解理,然后降阻(120hrs)、机械抛光、化学腐蚀、超声清洗后,在样品的两个表面镀上高纯 Al、将其封入装有 Zn 粒的安瓶中,其真空度为2×10~(-5)Torr。在 Zn 饱和蒸气压 |
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