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| 通用集成电路 | |
| 作者单位： | |
| 摘 要： | 882003.10/下半月 www.eepw.com.cnIR超小型优化DirectFET MOSFET芯片组国际整流器公司(IR)推出超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x大电流同步降压转换器。最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻(RDS(on))为8.5毫欧,IRF6618同步MOSFET的典型通态电阻则为1.7毫欧,两者均采用IR的DirectFET封装。IRF6608的体积比标准SO-8封装小一半,它是首项采用崭新双面冷却、表面贴装式DirectFET“S”封装的HEXFET MOSFET。器件仅高… |
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