第三代半导体氮化镓材料单晶制备技术及应用前景

随着科技的发展，半导体材料与人们的生活息息相关。氮化镓作为第三代半导体材料的代表，具有宽禁带、介电系数小、高电子迁移率、高热导率和耐辐射的优点，广泛用于光电器件、微电子领域中。本文详细阐述了氮化镓一维纳米线、单晶衬底的制备方法的原理及优缺点(如VLS法、HVPE法、氨热法等)、简述了在光电、射频、电子电力领域中的应用，并展望了未来的发展前景。