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灵巧功率集成电路中功率MOSFET电流感知方法的研究
引用本文:郭丽娜,陈星弼. 灵巧功率集成电路中功率MOSFET电流感知方法的研究[J]. 现代电子技术, 2006, 29(2): 108-109,112
作者姓名:郭丽娜  陈星弼
作者单位:同济大学,电子信息与工程学院,上海,200092
摘    要:功率器件的过流保护是提高灵巧功率集成电路可靠性的关键,采用不同的电流检测方法会有不同的误差。通过对功率MOSFET的电流检测技术的研究,对比分析了几种常用的电流感知方法,重点阐述了应用在灵巧功率集成电路中感知高压功率器件电流的SenseFET结构的工作原理,并分析了影响电流检测准确度的误差源。可以为设计高性能的电流检测过程提供参考。

关 键 词:电流检测  灵巧功率集成电路  功率MOSFET  SenseFET  电流比例因子
文章编号:1004-373X(2006)02-108-02
收稿时间:2005-10-19
修稿时间:2005-10-19

Current Sensing Approach to Power MOSFET in SPIC
GUO Lina,CHEN Xingbi. Current Sensing Approach to Power MOSFET in SPIC[J]. Modern Electronic Technique, 2006, 29(2): 108-109,112
Authors:GUO Lina  CHEN Xingbi
Affiliation:College of Electronic Information and Engineering,Tongji University,Shanghai,200092,China
Abstract:The overcurrent protection for power device plays an important role to improve the reliability of Smart Power Integrated Circuit(SPIC).However,different current sensor with different error sources.By the studies and analysis of current sensing techniques applied to power MOSFET,this paper describes the principle of SenseFET method to sense the high voltage power MOSFET current in SPIC,and analyses the error sources which affect the precision of current sensing.This is very useful for high performance current sensing design.
Keywords:current sensor  smart power integrated circuit  power MOSFET  SenseFET  current sense ratio  
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