表面带C=C端基活性膜SiO2复合体的研究 |
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引用本文: | 闻荻江,朱新生,李敏. 表面带C=C端基活性膜SiO2复合体的研究[J]. 武汉工程大学学报, 2002, 24(3) |
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作者姓名: | 闻荻江 朱新生 李敏 |
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作者单位: | 苏州大学材料工程学院,江苏,苏州,215021 |
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基金项目: | 江苏省科技厅自然科学基金,江苏省重点实验室基金,薄膜材料重点实验室基金 |
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摘 要: | 利用甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷合成了带C=C端基的活性膜/SiO2复合体,探讨了其表面结构.XPS表征表明,SiO2表面的有机硅烷牢固结合,扫描电镜表征了硅烷化后SiO2表面的膜结构,并且保留了其多孔特征.
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关 键 词: | 多孔SiO2 甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷 表面活性膜 合成技术 |
A study on the silica composite with active membrane containing C=C end group on the surface |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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