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表面带C=C端基活性膜SiO2复合体的研究
引用本文:闻荻江,朱新生,李敏. 表面带C=C端基活性膜SiO2复合体的研究[J]. 武汉工程大学学报, 2002, 24(3)
作者姓名:闻荻江  朱新生  李敏
作者单位:苏州大学材料工程学院,江苏,苏州,215021
基金项目:江苏省科技厅自然科学基金,江苏省重点实验室基金,薄膜材料重点实验室基金 
摘    要:利用甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷合成了带C=C端基的活性膜/SiO2复合体,探讨了其表面结构.XPS表征表明,SiO2表面的有机硅烷牢固结合,扫描电镜表征了硅烷化后SiO2表面的膜结构,并且保留了其多孔特征.

关 键 词:多孔SiO2  甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷  表面活性膜  合成技术

A study on the silica composite with active membrane containing C=C end group on the surface
Abstract:
Keywords:
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