| 一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统 |
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| 引用本文： | 李海鸥, 尹军舰, 张海英, 和致经, 叶甜春,.一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统[J].电子器件,2006,29(1):9-11,109. |
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| 作者姓名： | 李海鸥 尹军舰 张海英 和致经 叶甜春 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;科技部科研项目 |
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| 摘 要： | 研究了在砷化镓上欧姆接触形成机理,并提出了一种新型的欧姆接触六层金属系统(Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au).在n型GaAs样品上实验了在380～460℃合金温度和50～120 s合金时间下形成欧姆接触,在400℃、60 s下典型的欧姆接触值为2.1x10-7Ω·cm2,同时合金后表面形貌光滑、平整.
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| 关 键 词： | 膺配高电子迁移率晶体管 欧姆接触 退火 砷化镓 |
| 文章编号： | 1005-9490（2006）01-0009-03 |
| 收稿时间： | 2005-06-20 |
| 修稿时间： | 2005-06-20 |
Ohmic Contact to n-Type GaAs by a New Six-Layer Metal System |
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| LI Hai-ou,YIN Jun-jian,ZHANG Hai-ying,HE Zhi-jing,YE Tian-chun.Ohmic Contact to n-Type GaAs by a New Six-Layer Metal System[J].Journal of Electron Devices,2006,29(1):9-11,109. |
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| Authors: | LI Hai-ou YIN Jun-jian ZHANG Hai-ying HE Zhi-jing YE Tian-chun |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics of The Chinese Academy of Sciences; Beijing 100029; China |
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| Abstract: | A new six-layer ohmic contact system (Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au) is proposed and its ohmic contact formation on n-type GaAs has been investigated. Ohmic contacts are obtained at alloying temperatures and time varying from 380℃ to 460℃ and 50 s to 120 s, respectively. Typical contact resistance of 2.1×10-7 Ω·cm2 is achieved at 400℃ and 60 s. The surface morphology of the contacts after alloying is excellent and smooth. |
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| Keywords: | PHEMTs ohmic contact anneal GaAs |
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