| 带有修调的分段曲率补偿带隙基准电路 |
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| 引用本文： | 徐超,吴灯鹏,李新昌,徐大伟,俞跃辉,程新红.带有修调的分段曲率补偿带隙基准电路[J].哈尔滨工业大学学报,2020,52(4):112-118. |
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| 作者姓名： | 徐超 吴灯鹏 李新昌 徐大伟 俞跃辉 程新红 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050;上海科技大学物理科学与技术学院,上海201210;中国科学院大学,北京100049,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050;中国科学院大学,北京100049,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050;中国科学院大学,北京100049,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050;中国科学院大学,北京100049,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050;中国科学院大学,北京100049,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050;中国科学院大学,北京100049 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划(2016YFB0100700) |
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| 摘 要： | 为得到高精度低温度系数、高电源抑制比的基准电压,同时为了降低工艺中非理想性因素的影响,设计了一种新的带有修调的分段曲率补偿基准电路. 通过利用电阻分压和工作在亚阈值区域的MOSFET的电学特性,产生正温度系数和负温度系数的电流,在高温段和低温段分别对带隙基准电压进行曲率补偿,提出了一种新的快速优化基准电压温度系数的芯片级修调方法,包含温度系数修调和电压幅值修调,可以快速获得最低温度系数对应码值以提升工作效率.基于0.35 μm BCD工艺,流片验证了该修调方案的可行性.结果表明:在-40℃~125℃内,基准电压最低仿真温度系数为0.84×10-6/℃,最低实测温度系数为5.33×10-6/℃,随机抽样结果显示温度系数的平均值为7.47×10-6/℃;采用基于计算斜率的修调方法,测试10块芯片的平均修调次数为3.5次,与使用逐次逼近的修调方法相比,效率提升59.8％;低温度系数的带隙基准电压有利于提升电池管理芯片对电池剩余电量估算的准确性,该带隙基准电路已成功应用于电池管理芯片内高精度模数转换器中.
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| 关 键 词： | 分段曲率补偿 修调 基准 温度系数 芯片级修调 |
| 收稿时间： | 2019/2/18 0:00:00 |
Piecewise curvature compensated bandgap reference circuit with trimming procedure |
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| XU Chao,WU Dengpeng,LI Xinchang,XU Dawei,YU Yuehui and CHENG Xinhong.Piecewise curvature compensated bandgap reference circuit with trimming procedure[J].Journal of Harbin Institute of Technology,2020,52(4):112-118. |
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| Authors: | XU Chao WU Dengpeng LI Xinchang XU Dawei YU Yuehui and CHENG Xinhong |
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| Affiliation: | Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China ;School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China ;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China ;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China ;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China ;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China ;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China and Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China ;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | piecewise curvature compensated trimming reference temperature coefficient chip-level trimming |
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