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多孔硅表面氧化钒热敏电阻薄膜的阻温特性
引用本文:窦雁巍,胡明,崔梦,宗杨.多孔硅表面氧化钒热敏电阻薄膜的阻温特性[J].材料研究学报,2006,20(5):496-498.
作者姓名:窦雁巍  胡明  崔梦  宗杨
作者单位:天津大学信息学院,天津,300072;天津大学信息学院,天津,300072;天津大学信息学院,天津,300072;天津大学信息学院,天津,300072
基金项目:国家自然科学基金;天津市自然科学基金
摘    要:用电化学腐蚀法制备了具有不同导热系数的多孔硅样品(孔隙率为80%±2、厚度为110μm时,导热系数可降低至0.20 W/m·K),并在其表面沉积了氧化钒热敏薄膜,研究了多孔硅样品的热绝缘性能对氧化钒热敏薄膜阻温特性的影响.结果表明:多孔硅良好的热绝缘性使在其表面制备的氧化钒热敏薄膜电阻的灵敏度远高于在硅基底上制备的热敏电阻的(多孔硅和硅片上的氧化钒薄膜电阻随功率变化斜率分别为120 kΩ/μW和2.1 kΩ/μW),且热敏电阻的灵敏度随着多孔硅孔隙率和厚度的增大而升高.

关 键 词:无机非金属材料  多孔硅  热绝缘  氧化钒薄膜
文章编号:1005-3093(2006)05-0496-03
收稿时间:08 25 2005 12:00AM
修稿时间:08 10 2006 12:00AM

The performance of temperature-sensitive for VOx thin film resistances deposited on PS substrate
DOU Yanwei,HU Ming,CUI Meng,ZONG Yang.The performance of temperature-sensitive for VOx thin film resistances deposited on PS substrate[J].Chinese Journal of Materials Research,2006,20(5):496-498.
Authors:DOU Yanwei  HU Ming  CUI Meng  ZONG Yang
Abstract:
Keywords:inorganic non-metallic materials  porous silicon  thermal isolation  VOx thin film
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