| 基于电容倍增的LDO设计 |
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| 引用本文： | 应建华,黄萌,黄杨. 基于电容倍增的LDO设计[J]. 半导体学报, 2010, 31(7): 075010-4 |
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| 作者姓名： | 应建华 黄萌 黄杨 |
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| 作者单位： | Department of Electronic Science ＆ Technology,Huazhong University of Science ＆ Technology,Wuhan 430074,China |
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| 摘 要： | 本文设计了一种低静态电流、高稳定性的低压降线性稳压器，为了减小补偿电容值，及控制频率响应中尖峰的位置，本文采用了电容倍增技术进行频率补偿，并给出了稳定性的理论推导。该LDO在负载电流0.1mA和150mA时都具有较好的相位裕度。电路采用XFAB 0.6um CMOS工艺模型，最终设计的LDO电路静态功耗17uA。使用10uF的负载电容，在负载电流变化率为770mA/100us时，最大过冲为12.2mV（0.7%）。
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| 关 键 词： | LDO稳压器 电容倍增器 设计 CMOS工艺 低静态电流 频率响应 负载电流 补偿电路 |
| 修稿时间： | 2010-03-06 |
Design of an LDO with capacitor multiplier |
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| Ying Jianhu,Huang Meng and Huang Yang. Design of an LDO with capacitor multiplier[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2010, 31(7): 075010-4 |
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| Authors: | Ying Jianhu Huang Meng Huang Yang |
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| Affiliation: | Department of Electronic Science & Technology, Huazhong University of Science & Technology, Wuhan 430074, China;Department of Electronic Science & Technology, Huazhong University of Science & Technology, Wuhan 430074, China;Department of Electronic Science & Technology, Huazhong University of Science & Technology, Wuhan 430074, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LDO frequency compensation capacitor multiplier dynamic bias buffer |
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