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| 硼离子注入半绝缘InP和N型InP的电特性研究 | |
| 引用本文： | 赵杰,刘宝钧,李建蒙.硼离子注入半绝缘InP和N型InP的电特性研究[J].半导体学报,1995,16(10):766-771. |
| 作者姓名： | 赵杰 刘宝钧 李建蒙 |
| 作者单位： | 天津师范大学物理系，加拿大国家自然科学研究院 |
| 摘 要： | 本文研究了硼注入绝缘ＩｎＰ和Ｎ型ＩｎＰ的电性质．硼注入是在１００ｋｅＶ能量下，剂量从１e１２到１e１６ｃｍ－２范围内进行．注入后的退火在纯氮气的保护下由１００℃到７００℃范围变化．硼注入半绝缘ＩｎＰ的结果表明，硼注入诱导形成载流子分布．硼注入Ｎ型ＩｎＰ后形成高阻绝缘层，其电阻率随退火温度变化出现两个峰值．本文还讨论了硼注入层电性能变化的机理． |
| 关 键 词： | 离子注入 硼 磷化铟 电特性 半导体器件 |
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