| 用于永久性存贮器Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3薄膜的特性 |
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| 引用本文： | 许宇庆,陶向明,叶高翔,葛洪良,张其瑞.用于永久性存贮器Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3薄膜的特性[J].真空科学与技术学报,1995(2). |
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| 作者姓名： | 许宇庆 陶向明 叶高翔 葛洪良 张其瑞 |
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| 作者单位： | 浙江大学物理系!杭州，310027，浙江大学物理系!杭州，310027，浙江大学物理系!杭州，310027，浙江大学物理系!杭州，310027，浙江大学物理系!杭州，310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!69201006，浙江省自然科学基金!192056 |
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| 摘 要： | 用磁控射频溅射方法制备了Pb（Zr0．52Ti0.48）O3薄膜。研究了制膜工艺对Pb（Zr0．52Ti0．48）O3薄膜相、结晶性和铁电特性的影响。实验表明，所制备的薄膜表面致密、光滑。此Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜以钙钛矿结构为主，并具有较高的剩余极化、饱和极化和较小的矫顽场。从实验结果分析得，通过控制工艺条件所制得的单相钙钛矿型的Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜的铁电特性得到很大提高。并制备出用于永久性存贮器的优质Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜。
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| 关 键 词： | 铁电 薄膜 存贮器 |
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