硼扩散源及其在半导体器件中的应用

在半导体器件工艺中,多数情况是在硅衬底中掺 p 型或者 n 型杂质形成 pn 结。而最基本的 pn 结形成方法,一般采用杂质的热扩散法。通常,这种扩散工艺是由预沉积和再扩散两步工序组成的。首先是预沉积工序,它是在硅表面形成浅的高浓度杂质扩散区,其次是再扩散工序,它是使结更深地向硅衬底内推进,控制表面杂质浓度。认为控制了这个杂质浓度和结深就确定了半导体器件的性能,这种说法也并不过分。而且还可以说,预沉积将大大影响扩散的好坏。因此,本文简要说明一下关于预沉积中 p 型杂质(硼)扩散源的情况。同时,介绍一下最近 Owens-Illinois 公司研究的新的硼扩散源“Boro+~(TM)”(以下省略 TM)的优点。