| PECVD SiO_2-SiN_X叠层钝化膜的研究 |
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| 引用本文： | 韩培育,季静佳,王振交,李果华. PECVD SiO_2-SiN_X叠层钝化膜的研究[J]. 太阳能学报, 2010, 31(12) |
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| 作者姓名： | 韩培育 季静佳 王振交 李果华 |
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| 摘 要： | 首先使用正交设计法对SiN_X和SiO_2膜的PECVD(等离子体增强化学气相沉积)特性进行了研究,分别得到了两种膜的最佳沉积条件。然后使用PECVD在P型多晶硅片发射极上沉积了SiO_2-SiN_X叠层钝化膜,并与SiN_X单层钝化膜进行比较。通过测试硅片在退火前后少子寿命的变化,考察了两种钝化膜对太阳电池发射极的钝化效果,结果表明SiO_2-SiN_X叠层膜具有更好的钝化效果。利用反射率测试仪测试了两种膜的反射率,其反射率曲线基本相同。最后,测量了采用该叠层膜制作的太阳电池的量子效率和电性能,其短路电流和开路电压均比采用SiN_X单层膜的电池要好,转换效率提高了0.25%。
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| 关 键 词： | 多晶硅 太阳电池 PECVD 氮化硅 二氧化硅 减反射 钝化 |
THE STUDY OF SiO2-SiNX STACK-LAYER PASSIVATION FILMS DEPOSITED BY PECVD |
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| Han Peiyu,Ji Jingjia,Wang Zhenjiao,Li Guohua. THE STUDY OF SiO2-SiNX STACK-LAYER PASSIVATION FILMS DEPOSITED BY PECVD[J]. Acta Energiae Solaris Sinica, 2010, 31(12) |
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| Authors: | Han Peiyu Ji Jingjia Wang Zhenjiao Li Guohua |
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