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| γ辐照的半绝缘GaAs：Cr的电子顺磁共振研究 | |
| 引用本文： | 傅济时,朱美栋,毛晋昌,吴恩,秦国刚,魏根栓,张钰华,王永鸿,马碧春.γ辐照的半绝缘GaAs：Cr的电子顺磁共振研究[J].半导体学报,1994,15(4):261-263. |
| 作者姓名： | 傅济时 朱美栋 毛晋昌 吴恩 秦国刚 魏根栓 张钰华 王永鸿 马碧春 |
| 作者单位： | 北京大学物理系，北京大学技术物理系，北京有色金属研究总院 |
| 摘 要： | 本文报道γ辐照的ＧａＡｓ：Ｃｒ的光激发电子顺磁共振（ＥＰＲ）研究结果．实验结果表明γ辐照不仅改变了其内硅谱线的光淬灭特性，同时还产生一条ｇ值为２．０８、线宽约３e－２Ｔ无光淬灭特性的新谱线，初步分析表明它可能来自于砷空位（ＶＡｓ）． |
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