| Pb过量和种子层对PLZT薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 刘立,何剑,张鹏,王二伟,胡磊,丑修建.Pb过量和种子层对PLZT薄膜的影响[J].压电与声光,2017,39(1):121-125. |
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| 作者姓名： | 刘立 何剑 张鹏 王二伟 胡磊 丑修建 |
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| 作者单位： | (1.中北大学 仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西 太原 030051;2.中北大学 电子测试技术重点实验室,山西 太原 030051) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51422510,51175483,61401460) |
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| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备不同Pb过量(未过量、10%、15%)和引入不同厚度(0、100nm、500nm)锆钛酸铅(PZT)缓冲层的锆钛酸铅镧(PLZT)反铁电薄膜,通过原子力显微镜、X线衍射表征分析薄膜的微观结构。结果表明,过量10%的Pb组分有助于形成钙钛矿结构,获得较大的晶粒尺寸和理想的粗糙度;100nm的PZT缓冲层的引入有利于PLZT薄膜晶化,形成较致密、结晶状况良好的薄膜。
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| 关 键 词： | 溶胶-凝胶(Sol-Gel)法 钙钛矿结构 锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜 缓冲层。 |
Effect of Excessive Pb and Seed Layer Thickness on the Microstructure of PLZT Thin Films |
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| LIU Li,HE Jian,ZHANG Peng,WANG Erwei,HU Lei,CHOU Xiujian.Effect of Excessive Pb and Seed Layer Thickness on the Microstructure of PLZT Thin Films[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2017,39(1):121-125. |
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| Authors: | LIU Li HE Jian ZHANG Peng WANG Erwei HU Lei CHOU Xiujian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Sol Gel method perovskite structure PLZT films buffer layer |
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