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| 单边突变p~+n结的非耗尽分析 | |
| 引用本文： | 傅春寅,鲁永令,曾树荣,吴恩.单边突变p~+n结的非耗尽分析[J].半导体学报,1987,8(2):130-136. |
| 作者姓名： | 傅春寅 鲁永令 曾树荣 吴恩 |
| 作者单位： | 北京大学物理系 (傅春寅，鲁永令，曾树荣)，北京大学物理系(吴恩) |
| 摘 要： | 本文对硅单边突变p~+n结的空间电荷区做了非耗尽地分析.在考虑到两种自由载流子同时存在的条件下,分析了该p~+n结在平衡态及正向偏置下(非大注入)的电位、电场分布及其中自由载流子浓度关系.指出,单边突变p~+n结的空间电荷区由三部分组成,即尖峰超强电场及少于强电场区、自由载流子耗尽区和边界区.井同耗尽近似的结果进行了对比. |
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