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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
单边突变p~+n结的非耗尽分析
作者姓名:
傅春寅
鲁永令
曾树荣
吴恩
作者单位:
北京大学物理系(傅春寅,鲁永令,曾树荣),北京大学物理系(吴恩)
摘 要:
本文对硅单边突变p~+n结的空间电荷区做了非耗尽地分析.在考虑到两种自由载流子同时存在的条件下,分析了该p~+n结在平衡态及正向偏置下(非大注入)的电位、电场分布及其中自由载流子浓度关系.指出,单边突变p~+n结的空间电荷区由三部分组成,即尖峰超强电场及少于强电场区、自由载流子耗尽区和边界区.井同耗尽近似的结果进行了对比.
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