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分类号
杂志ISSN号
双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件
引用本文:
昝育德,王俊,李瑞云,韩秀峰,王建华,于芳,刘忠立,王玉田,王占国,林兰英.双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件[J].半导体学报,2004,25(7):824-830.
作者姓名:
昝育德
王俊
李瑞云
韩秀峰
王建华
于芳
刘忠立
王玉田
王占国
林兰英
摘 要:
报道了利用高真空 MOCVD外延生长 γ氧化铝的技术和利用 SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延 Si/ γ-Al2 O3/ Si单晶薄膜以及用其研制 Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS场效应晶体管、Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS集成电路的初步结果
关 键 词:
外延
CMOS
SOS
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