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| 二维非等温的分布晶体管模型 | |
| 引用本文： | 高光渤,吴武臣.二维非等温的分布晶体管模型[J].半导体学报,1983,4(4):361-368. |
| 作者姓名： | 高光渤 吴武臣 |
| 作者单位： | 北京工业大学无线电电子学系 (高光渤)，北京工业大学无线电电子学系(吴武臣) |
| 摘 要： | 本文提出了一个考虑了晶体管热电反馈效应的分布晶体管直流模型,称之为“二维非等温的分布晶体管模型”. 本模型考虑了基区高注入效应、Kirk效应以及由内基区电阻、发射极金属化电极薄层电阻所引起的电流横向及纵向集边效应,并计入了晶体管内温度分布的不均匀性对上述诸效应的影响. 借助计算机,利用下降法求解了描述本模型热电特性的非线性方程组,计算结果给出了晶体管发射区内温度、电流的二维分布数值,从而得到了晶体管热电反馈效应的定量描述,且理论结果与实验吻合良好. 利用本模型可进行功率晶体管的计算机辅助设计,预测功率晶体管的安全工作区并指导器件的可靠性设计. |
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