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| 圆片键合工艺研究 | |
| 引用本文： | 聂磊,史铁林,廖广兰,钟飞. 圆片键合工艺研究[J]. 湖北工业大学学报, 2005, 20(5): 72-74 |
| 作者姓名： | 聂磊 史铁林 廖广兰 钟飞 |
| 作者单位： | 1. 华中科技大学 2. 华中科技大学微系统中心,湖北,武汉,430074 3. 湖北工业大学机械工程学院,湖北,武汉,430068 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划（973计划）（2003CB716207）,国家自然科学基金青年基金项目（50405033）. |
| 摘 要： | 将圆片键合的各种工艺分为3类：场助直接键合、表面活性键合、借助中介层键合.并对其适用环境和优缺点进行了分析,为圆片级键合的设计和应用提供思路. |
| 关 键 词： | 圆片 键合 工艺 |
| 文章编号： | 1003-4684（2005）10-0072-03 |
| 收稿时间： | 2005-05-10 |
| 修稿时间： | 2005-05-10 |
Research of Technique for Wafer Bonding |
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| NIE lei,SHI Tie-lin,LIAO Guang-lan,ZHONG Fei. Research of Technique for Wafer Bonding[J]. Journal of Hubei University of Technology, 2005, 20(5): 72-74 | |
| Authors: | NIE lei SHI Tie-lin LIAO Guang-lan ZHONG Fei |
| Abstract: | The technique of wafer bonding is classified into three kinds: field-aided bonding, surface activated bonding, and intermediate layers bonding. Their advantages and disadvantages are discussed and the applications are presented. |
| Keywords: | wafer bonding technology |
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